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精度逼近 羲之，卻難量產中國曝光機
时间: 2025-08-30 09:48:42来源：
湖北 作者: 代妈托管
但由於採用「逐點書寫」（point-by-point writing）──電子束必須像筆逐點描繪電路圖案──因此製作一片晶圓需要更長時間
，中國之精哈爾濱團隊之前研發出能產生 13.5 奈米 EUV 光的曝光 LDP 光源
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，生產效率遠低於 EUV 系統 。
China Reportedly Develops Lithography Machine With Precision Rivalling ASML’s High-NA EUV,代妈补偿25万起 But Limited to Research Applications, Not Mass Production （首圖來源
：中國杭州人民政府）
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，並在華為東莞工廠測試
，接近 ASML High-NA EUV 標準 。【代妈应聘流程】 「羲之」定位精度可達 0.6 奈米 ，代妈补偿23万到30万起
中國受美國出口管制影響 ，仍有待觀察
。使麒麟晶片性能提升有限 。
外媒報導
，只能依賴 DUV
，
